Антава

VISHAY

Транзистор SIHB18N60E-GE3

SIHB18N60E-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Рассеиваемая мощность
179 W
Корпус
D2PAK, TO263
Gate-source voltage
±30 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSIHB18N60E-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Рассеиваемая мощность179 W
КорпусD2PAK, TO263
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.38 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge46nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 179W; D2PAK,TO263

Документация

Документы пока не предоставлены.