Антава

VISHAY

Транзистор SIHB17N80AE-GE3

SIHB17N80AE-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
800 V
Drain current
10 A
Pulsed drain current
32 A
Рассеиваемая мощность
179 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSIHB17N80AE-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage800 V
Drain current10 A
Pulsed drain current32 A
Рассеиваемая мощность179 W
КорпусD2PAK, TO263
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.29 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge62nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; Idm: 32A; 179W

Документация

Документы пока не предоставлены.