Антава

VISHAY

Транзистор SIHB15N50E-GE3

SIHB15N50E-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
500 V
Drain current
9.2 A
Pulsed drain current
28 A
Power dissipation
156 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSIHB15N50E-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage500 V
Drain current9.2 A
Pulsed drain current28 A
Power dissipation156 W
КорпусD2PAK, TO263
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.28 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge66nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9.2A; Idm: 28A; 156W

Документация

Документы пока не предоставлены.