Антава

VISHAY

Транзистор SIHB155N60EF-GE3

SIHB155N60EF-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
21 A
Power dissipation
179 W
Корпус
D2PAK, TO263
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSIHB155N60EF-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current21 A
Power dissipation179 W
КорпусD2PAK, TO263
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance159 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge25nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 179W; D2PAK,TO263

Документация

Документы пока не предоставлены.