Антава

VISHAY

Транзистор SIHB12N50E-GE3

SIHB12N50E-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
500 V
Drain current
6.6 A
Pulsed drain current
21 A
Рассеиваемая мощность
114 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSIHB12N50E-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage500 V
Drain current6.6 A
Pulsed drain current21 A
Рассеиваемая мощность114 W
КорпусD2PAK, TO263
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.38 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge50nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.6A; Idm: 21A; 114W

Документация

Документы пока не предоставлены.