Антава

VISHAY

Транзистор SIHB125N65E-GE3

SIHB125N65E-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
17 A
Pulsed drain current
60 A
Power dissipation
208 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSIHB125N65E-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current17 A
Pulsed drain current60 A
Power dissipation208 W
КорпусD2PAK, TO263
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.12 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge38nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 17A; Idm: 60A; 208W

Документация

Документы пока не предоставлены.