Антава

VISHAY

Транзистор SIHB11N80E-GE3

SIHB11N80E-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
800 V
Drain current
8 A
Pulsed drain current
32 A
Power dissipation
179 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSIHB11N80E-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage800 V
Drain current8 A
Pulsed drain current32 A
Power dissipation179 W
КорпусD2PAK, TO263
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance440 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge88nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 32A; 179W

Документация

Документы пока не предоставлены.