Антава

VISHAY

Транзистор SIHB11N80AE-GE3

SIHB11N80AE-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
800V
Drain current
5A
Pulsed drain current
22A
Power dissipation
78W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSIHB11N80AE-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage800V
Drain current5A
Pulsed drain current22A
Power dissipation78W
КорпусD2PAK, TO263
Gate-source voltage±30V
On-state resistance0.45Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge42nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5A; Idm: 22A; 78W; D2PAK,TO263

Документация

Документы пока не предоставлены.