Антава

VISHAY

Транзистор SIHB100N60E-GE3

SIHB100N60E-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600V
Drain current
19A
Pulsed drain current
73A
Power dissipation
208W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSIHB100N60E-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600V
Drain current19A
Pulsed drain current73A
Power dissipation208W
КорпусD2PAK, TO263
Gate-source voltage±30V
On-state resistance0.1Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge50nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 73A; 208W

Документация

Документы пока не предоставлены.