Антава

VISHAY

Транзистор SIHB068N60EF-GE3

SIHB068N60EF-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
26 A
Pulsed drain current
115 A
Рассеиваемая мощность
250 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSIHB068N60EF-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current26 A
Pulsed drain current115 A
Рассеиваемая мощность250 W
КорпусD2PAK, TO263
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance68 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge77nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 26A; Idm: 115A; 250W

Документация

Документы пока не предоставлены.