Антава

VISHAY

Транзистор SIHA6N80E-GE3

SIHA6N80E-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
800V
Drain current
5.4A
Power dissipation
31W
Корпус
TO220FP
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSIHA6N80E-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage800V
Drain current5.4A
Power dissipation31W
КорпусTO220FP
Gate-source voltage±30V
On-state resistance940mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.4A; 31W; TO220FP

Документация

Документы пока не предоставлены.