Антава

VISHAY

Транзистор SIHA6N80AE-GE3

SIHA6N80AE-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
800 V
Drain current
3.2 A
Pulsed drain current
10 A
Power dissipation
30 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSIHA6N80AE-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage800 V
Drain current3.2 A
Pulsed drain current10 A
Power dissipation30 W
КорпусTO220FP
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.95 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge22.5nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.2A; Idm: 10A; 30W; TO220FP

Документация

Документы пока не предоставлены.