Антава

VISHAY

Транзистор SIHA6N65E-GE3

SIHA6N65E-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
7 A
Power dissipation
31 W
Корпус
TO220FP
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSIHA6N65E-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current7 A
Power dissipation31 W
КорпусTO220FP
Gate-source voltage±30 V
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge24nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; 31W; TO220FP

Документация

Документы пока не предоставлены.