Антава

VISHAY

Транзистор SIHA4N80E-GE3

SIHA4N80E-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
800 V
Drain current
2.7 A
Pulsed drain current
11 A
Power dissipation
69 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSIHA4N80E-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage800 V
Drain current2.7 A
Pulsed drain current11 A
Power dissipation69 W
КорпусTO220FP
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance1.27 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge32nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; Idm: 11A; 69W; TO220FP

Документация

Документы пока не предоставлены.