Антава

VISHAY

Транзистор SIHA2N80E-GE3

SIHA2N80E-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
800 V
Drain current
1.8 A
Pulsed drain current
5 A
Power dissipation
29 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSIHA2N80E-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage800 V
Drain current1.8 A
Pulsed drain current5 A
Power dissipation29 W
КорпусTO220FP
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance2.75 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge19.6nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.8A; Idm: 5A; 29W; TO220FP

Документация

Документы пока не предоставлены.