Антава

VISHAY

Транзистор SIHA25N50E-GE3

SIHA25N50E-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
500 V
Drain current
16 A
Pulsed drain current
50 A
Power dissipation
35 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSIHA25N50E-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage500 V
Drain current16 A
Pulsed drain current50 A
Power dissipation35 W
КорпусTO220FP
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.145 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge86nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; Idm: 50A; 35W; TO220FP

Документация

Документы пока не предоставлены.