Антава

VISHAY

Транзистор SIHA25N50E-E3

SIHA25N50E-E3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
550V
Drain current
26A
Power dissipation
35W
Корпус
TO220FP
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSIHA25N50E-E3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage550V
Drain current26A
Power dissipation35W
КорпусTO220FP
Gate-source voltage±30V
On-state resistance0.145Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge57nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 550V; 26A; 35W; TO220FP

Документация

Документы пока не предоставлены.