Антава

VISHAY

Транзистор SIHA24N80AE-GE3

SIHA24N80AE-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
800 V
Drain current
5 A
Pulsed drain current
51 A
Рассеиваемая мощность
35 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 240 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%875,36 ₽

Сумма · с НДС 22%875,36 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1875,36 ₽
от 2593,59 ₽
от 5531,60 ₽
от 10499,67 ₽
от 20475,25 ₽
от 50454,59 ₽
от 100445,19 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSIHA24N80AE-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage800 V
Drain current5 A
Pulsed drain current51 A
Рассеиваемая мощность35 W
КорпусTO220FP
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance184 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge89nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5A; Idm: 51A; 35W; TO220FP

Документация

Документы пока не предоставлены.