Антава

VISHAY

Транзистор SIHA24N65EF-GE3

SIHA24N65EF-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650V
Drain current
6A
Pulsed drain current
65A
Power dissipation
39W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSIHA24N65EF-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650V
Drain current6A
Pulsed drain current65A
Power dissipation39W
КорпусTO220FP
Gate-source voltage±30V
On-state resistance156mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge122nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 65A; 39W; TO220FP

Документация

Документы пока не предоставлены.