Антава

VISHAY

Транзистор SIHA21N65EF-E3

SIHA21N65EF-E3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650V
Drain current
13A
Pulsed drain current
53A
Power dissipation
35W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSIHA21N65EF-E3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650V
Drain current13A
Pulsed drain current53A
Power dissipation35W
КорпусTO220FP
Gate-source voltage±30V
On-state resistance0.18Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge106nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13A; Idm: 53A; 35W; TO220FP

Документация

Документы пока не предоставлены.