Антава

VISHAY

Транзистор SIHA20N50E-GE3

SIHA20N50E-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
500V
Drain current
12A
Pulsed drain current
42A
Power dissipation
34W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSIHA20N50E-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage500V
Drain current12A
Pulsed drain current42A
Power dissipation34W
КорпусTO220FP
Gate-source voltage±30V
On-state resistance184mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge92nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; Idm: 42A; 34W; TO220FP

Документация

Документы пока не предоставлены.