Антава

VISHAY

Транзистор SIHA186N60EF-GE3

SIHA186N60EF-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
8.4 A
Power dissipation
156 W
Корпус
TO220FP
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSIHA186N60EF-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current8.4 A
Power dissipation156 W
КорпусTO220FP
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance193 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge32nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.4A; 156W; TO220FP

Документация

Документы пока не предоставлены.