Антава

VISHAY

Транзистор SIHA180N60E-GE3

SIHA180N60E-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600V
Drain current
6A
Pulsed drain current
44A
Power dissipation
33W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSIHA180N60E-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600V
Drain current6A
Pulsed drain current44A
Power dissipation33W
КорпусTO220FP
Gate-source voltage±30V
On-state resistance0.18Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge33nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; Idm: 44A; 33W; TO220FP

Документация

Документы пока не предоставлены.