Антава

VISHAY

Транзистор SIHA15N60E-E3

SIHA15N60E-E3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
9.6 A
Pulsed drain current
39 A
Power dissipation
34 W

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 432 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%696,94 ₽

Сумма · с НДС 22%696,94 ₽

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1696,94 ₽
от 5561,37 ₽
от 10498,36 ₽
от 25425,80 ₽
от 50378,06 ₽
от 100362,79 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSIHA15N60E-E3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current9.6 A
Pulsed drain current39 A
Power dissipation34 W
КорпусTO220FP
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.28 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge76nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 34W; TO220FP

Документация

Документы пока не предоставлены.