Антава

VISHAY

Транзистор SIHA15N50E-E3

SIHA15N50E-E3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
500 V
Drain current
9.2 A
Pulsed drain current
28 A
Power dissipation
33 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSIHA15N50E-E3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage500 V
Drain current9.2 A
Pulsed drain current28 A
Power dissipation33 W
КорпусTO220FP
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.28 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge66nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9.2A; Idm: 28A; 33W; TO220FP

Документация

Документы пока не предоставлены.