Антава

VISHAY

Транзистор SIHA12N60E-E3

SIHA12N60E-E3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600V
Drain current
12A
Power dissipation
33W
Корпус
TO220FP
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSIHA12N60E-E3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600V
Drain current12A
Power dissipation33W
КорпусTO220FP
Gate-source voltage±30V
On-state resistance0.38Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge29nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; 33W; TO220FP

Документация

Документы пока не предоставлены.