Антава

VISHAY

Транзистор SIHA11N80E-GE3

SIHA11N80E-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
800 V
Drain current
8 A
Pulsed drain current
32 A
Power dissipation
34 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSIHA11N80E-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage800 V
Drain current8 A
Pulsed drain current32 A
Power dissipation34 W
КорпусTO220FP
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance440 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge88nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 32A; 34W; TO220FP

Документация

Документы пока не предоставлены.