Антава

VISHAY

Транзистор SIHA11N80AE-GE3

SIHA11N80AE-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
800 V
Drain current
5 A
Pulsed drain current
22 A
Power dissipation
31 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSIHA11N80AE-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage800 V
Drain current5 A
Pulsed drain current22 A
Power dissipation31 W
КорпусTO220FP
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.45 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge42nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5A; Idm: 22A; 31W; TO220FP

Документация

Документы пока не предоставлены.