Антава

VISHAY

Транзистор SIEH4800EW-T1-GE3

SIEH4800EW-T1-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
80 V
Drain current
34 A
Power dissipation
3.4 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSIEH4800EW-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage80 V
Drain current34 A
Power dissipation3.4 W
КорпусPowerPAK® SO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance1.15 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge278nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 34A; 3.4W

Документация

Документы пока не предоставлены.