VISHAY

Транзистор SIE818DF-T1-E3

SIE818DF-T1-E3

Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 80A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	SIE818DF-T1-E3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	N-MOSFET
Technology	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	75V
Drain current	60A
Pulsed drain current	80A
Power dissipation	125W
Корпус	PowerPAK® SO8
Gate-source voltage	±20V
On-state resistance	12.5mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	95nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 75V; 60A; Idm: 80A; 125W

Документация

Документы пока не предоставлены.