Антава

VISHAY

Транзистор SIDR668DP-T1-GE3

SIDR668DP-T1-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
95 A
Pulsed drain current
200 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSIDR668DP-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current95 A
Pulsed drain current200 A
Рассеиваемая мощность125 W
КорпусPowerPAK® SO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance5.05 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge108nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 95A; Idm: 200A

Документация

Документы пока не предоставлены.