Антава

VISHAY

Транзистор SIDR626LDP-T1-RE3

SIDR626LDP-T1-RE3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
204 A
Pulsed drain current
300 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSIDR626LDP-T1-RE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current204 A
Pulsed drain current300 A
Рассеиваемая мощность125 W
КорпусPowerPAK® SO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance2.1 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge135nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 204A; Idm: 300A

Документация

Документы пока не предоставлены.