Антава

VISHAY

Транзистор SIDR622DP-T1-RE3

SIDR622DP-T1-RE3
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
150V
Drain current
56.7A
Pulsed drain current
100A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSIDR622DP-T1-RE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage150V
Drain current56.7A
Pulsed drain current100A
Power dissipation125W
КорпусPowerPAK® SO8
Gate-source voltage±20V
On-state resistance20.4mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge41nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 56.7A; Idm: 100A

Документация

Документы пока не предоставлены.