VISHAY

Транзистор SIDR610EP-T1-RE3

SIDR610EP-T1-RE3

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200 V
Drain current: 33.1 A
Pulsed drain current: 80 A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	SIDR610EP-T1-RE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	200 V
Drain current	33.1 A
Pulsed drain current	80 A
Рассеиваемая мощность	150 W
Корпус	PowerPAK® SO8
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	23.9 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	20nC
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 33.1A; Idm: 80A

Документация

Документы пока не предоставлены.