Антава

VISHAY

Транзистор SIDR610DP-T1-GE3

SIDR610DP-T1-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
200 V
Drain current
39.6 A
Pulsed drain current
80 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSIDR610DP-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage200 V
Drain current39.6 A
Pulsed drain current80 A
Power dissipation125 W
КорпусPowerPAK® SO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance33.4 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge38nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 39.6A; Idm: 80A

Документация

Документы пока не предоставлены.