Антава

VISHAY

Транзистор SIDR608EP-T1-RE3

SIDR608EP-T1-RE3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Drain current
228 A
Рассеиваемая мощность
125 W
Корпус
PowerPAK® SO8
Gate-source voltage
-16...20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 6 000 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%333,77 ₽

Сумма · с НДС 22%1 001 310,00 ₽

Проверяем актуальные условия

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 3000333,77 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSIDR608EP-T1-RE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Drain current228 A
Рассеиваемая мощность125 W
КорпусPowerPAK® SO8
Gate-source voltage-16...20 V
On-state resistance1.36 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge167nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; 228A; 125W; PowerPAK® SO8

Документация

Документы пока не предоставлены.