Антава

VISHAY

Транзистор SIDR578EP-T1-RE3

SIDR578EP-T1-RE3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Drain-source voltage
150 V
Power dissipation
150 W
Корпус
PowerPAK® SO8
Gate-source voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 6 000 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%416,78 ₽

Сумма · с НДС 22%1 250 340,00 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 3000416,78 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSIDR578EP-T1-RE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Drain-source voltage150 V
Power dissipation150 W
КорпусPowerPAK® SO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance8.8 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge32.5nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; 150V; 150W; PowerPAK® SO8

Документация

Документы пока не предоставлены.