Антава

VISHAY

Транзистор SIDR5102EP-T1-RE3

SIDR5102EP-T1-RE3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
126 A
Pulsed drain current
300 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSIDR5102EP-T1-RE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current126 A
Pulsed drain current300 A
Рассеиваемая мощность150 W
КорпусPowerPAK® SO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance5.6 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge51nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 126A; Idm: 300A

Документация

Документы пока не предоставлены.