VISHAY

Транзистор SIDR392DP-T1-GE3

SIDR392DP-T1-GE3

Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 200A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	SIDR392DP-T1-GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	N-MOSFET
Technology	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	30V
Drain current	100A
Pulsed drain current	200A
Power dissipation	125W
Корпус	PowerPAK® SO8
On-state resistance	930µΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	188nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 100A; Idm: 200A

Документация

Документы пока не предоставлены.