VISHAY

Транзистор SIB456DK-T1-GE3

PowerPAK® SC75Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100 V
Drain current: 6.3 A
Pulsed drain current: 7 A

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	SIB456DK-T1-GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	100 V
Drain current	6.3 A
Pulsed drain current	7 A
Рассеиваемая мощность	13 W
Корпус	PowerPAK® SC75
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	0.31 Ω
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	5nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 6.3A; Idm: 7A; 13W

Документация

Документы пока не предоставлены.