Антава

VISHAY

Транзистор SIB4317EDK-T1-GE3

Type of transistor
P-MOSFET
Drain-source voltage
-30 V
Рассеиваемая мощность
1.95 W
Gate-source voltage
±12 V
On-state resistance
65 mΩ
Монтаж
SMD — поверхностный
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 6 000 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%39,53 ₽

Сумма · с НДС 22%118 590,00 ₽

Проверяем актуальные условия

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 300039,53 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSIB4317EDK-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET
Drain-source voltage-30 V
Рассеиваемая мощность1.95 W
Gate-source voltage±12 V
On-state resistance65 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; -30V; 1.95W

Документация

Документы пока не предоставлены.