VISHAY

Транзистор SIB422EDK-T1-GE3

PowerPAK® SC70Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20 V
Drain current: 9 A
Pulsed drain current: 25 A

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	SIB422EDK-T1-GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	20 V
Drain current	9 A
Pulsed drain current	25 A
Power dissipation	13 W
Корпус	PowerPAK® SC70
Gate-source voltage	±8 V
On-state resistance	82 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	18nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 9A; Idm: 25A; 13W

Документация

Документы пока не предоставлены.