VISHAY

Транзистор SIB4122DK-T1-GE3

PowerPAK® SC75Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: ThunderFET, TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100 V
Drain current: 4.7 A
Pulsed drain current: 8 A

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	SIB4122DK-T1-GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	ThunderFET, TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	100 V
Drain current	4.7 A
Pulsed drain current	8 A
Power dissipation	12.5 W
Корпус	PowerPAK® SC75
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	0.16 Ω
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	2.9nC
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; ThunderFET; unipolar; 100V; 4.7A; Idm: 8A

Документация

Документы пока не предоставлены.