VISHAY

Транзистор SIA910EDJ-T1-GE3

Фото уточняется

Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 4.5A
Pulsed drain current: 20A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	SIA910EDJ-T1-GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	N-MOSFET x2
Technology	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	12V
Drain current	4.5A
Pulsed drain current	20A
Power dissipation	7.8W
Корпус	PowerPAK® SC70
Gate-source voltage	±8V
On-state resistance	42mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	16nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 12V; 4.5A; Idm: 20A

Документация

Документы пока не предоставлены.