Антава

VISHAY

Транзистор SIA906EDJ-T1-GE3

Type of transistor
N-MOSFET x2
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
20 V
Drain current
4.5 A
Pulsed drain current
15 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSIA906EDJ-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET x2
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage20 V
Drain current4.5 A
Pulsed drain current15 A
Рассеиваемая мощность7.8 W
КорпусPowerPAK® SC70
Gate-source voltage±12 V
On-state resistance63 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge12nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 4.5A; Idm: 15A

Документация

Документы пока не предоставлены.