VISHAY

Транзистор SIA817EDJ-T1-GE3

PowerPAK® SC70Изображение корпуса

Type of transistor: P-MOSFET + Schottky
Технология: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30 V
Drain current: -4.5 A
Pulsed drain current: -15 A

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	SIA817EDJ-T1-GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	P-MOSFET + Schottky
Технология	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-30 V
Drain current	-4.5 A
Pulsed drain current	-15 A
Рассеиваемая мощность	6.5 W
Корпус	PowerPAK® SC70
Gate-source voltage	±12 V
On-state resistance	0.125 Ω
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	23nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; -30V; 6.5W

Документация

Документы пока не предоставлены.