VISHAY

Транзистор SIA533EDJ-T1-GE3

PowerPAK® SC70Изображение корпуса

Type of transistor: N/P-MOSFET
Технология: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12/-12 V
Drain current: 4.5/-4.5 A
Рассеиваемая мощность: 7.8 W

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	SIA533EDJ-T1-GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	N/P-MOSFET
Технология	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	12/-12 V
Drain current	4.5/-4.5 A
Рассеиваемая мощность	7.8 W
Корпус	PowerPAK® SC70
Gate-source voltage	±8 V
On-state resistance	215/70 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	20/15nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 12/-12V; 4.5/-4.5A

Документация

Документы пока не предоставлены.