Антава

VISHAY

Транзистор SIA517DJ-T1-GE3

SIA517DJ-T1-GE3
Type of transistor
N/P-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
12/-12 V
Drain current
4.5/-4.5 A
Рассеиваемая мощность
6.5 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 1 884 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%182,21 ₽

Сумма · с НДС 22%182,21 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1182,21 ₽
от 10129,24 ₽
от 5089,98 ₽
от 10077,20 ₽
от 20067,06 ₽
от 50057,11 ₽
от 100055,04 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSIA517DJ-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN/P-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage12/-12 V
Drain current4.5/-4.5 A
Рассеиваемая мощность6.5 W
КорпусPowerPAK® SC70
Gate-source voltage±8 V
On-state resistance170/65 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge20/15nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 12/-12V; 4.5/-4.5A

Документация

Документы пока не предоставлены.