Антава

VISHAY

Транзистор SIA469DJ-T1-GE3

SIA469DJ-T1-GE3
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-30 V
Drain current
-12 A
Pulsed drain current
-40 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 52 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%128,24 ₽

Сумма · с НДС 22%128,24 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1128,24 ₽
от 1082,62 ₽
от 5057,71 ₽
от 10050,20 ₽
от 50037,92 ₽
от 150035,72 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSIA469DJ-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-30 V
Drain current-12 A
Pulsed drain current-40 A
Рассеиваемая мощность15.6 W
КорпусPowerPAK® SC70
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance40 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge32nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -12A; Idm: -40A

Документация

Документы пока не предоставлены.