VISHAY

Транзистор SIA466EDJ-T1-GE3

Фото уточняется

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20 V
Drain current: 25 A
Pulsed drain current: 50 A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	SIA466EDJ-T1-GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	20 V
Drain current	25 A
Pulsed drain current	50 A
Power dissipation	19.2 W
Корпус	PowerPAK® SC70
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	13 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	20nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 25A; Idm: 50A

Документация

Документы пока не предоставлены.